通过往期的资讯大家都又了解到化学机械抛光对目前科技发展起到广泛的抛光作用，那么我们在更加的了解下CMP的技术，化学机械抛光起到重要作用的耗材有两种抛光垫、抛光液、利用了磨损中的“软磨硬”的原理，就是用较软的材料来进行抛光以达到高质量的表面。在一定的压力及抛光液的存在下，被抛光的元件相对于抛光垫作相对运动，借助抛光液的纳米颗粒磨料抛光及氧化的作用下进行高精密的平面抛光。

而上普遍认为，器件特征尺寸在0.35 5m以下时，须进行全局平面化以保证光刻影像传递的精确度和分辨率，而CMP是目前几乎一的可以提供全局平面化的技术。其中抛光液的物理化性质、颗粒大小、颗粒分散度及稳定性和抛光垫的材质、平坦度、硬度、密度、蕴含量等等都对抛光效果有紧密的相关。CMP作用机理目前还没有完整的从微观角度的理沦解释。但从宏观上来说，可以解释如下:将旋转的被抛光晶片压在与其同方向旋转的弹性抛光垫上，而抛光浆料在晶片与底板之间连续流动。上下盘高速反向运转，被抛光晶片表面的反应产物被不断地剥离，新抛光浆料补充进来，反应产物随抛光浆料带走。新裸露的品片平面又发生化学反应，产物再被剥离下来而循环往复，在衬底、磨粒和化学反应剂的联合作用下，形成精表面，要获得品质好的抛光片，须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。

为了进一步更加的了解CMP作用的本质，近年来我国外有很多关于CMP作用微观机理的研究。列如清华人学王学者、路学者的研究表明中:CMP中主要是低频、大波长的表面起伏被逐渐消除，而小尺度上的粗糙度并未得到显著改善;当颗粒直径在10-25 nm的范围时，粒径和粗糙度不存在单调的增减关系;桔皮的产生主要是抛光液中碱浓度过高所致。

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