美国的一家公司使用了外延剥离技术，成功用砷化镓制造出了高转化效率薄膜太阳能电池，转化率高达28.4%。这种电池不仅仅打破了此前的转化率，它的生产成本也低于其它的太阳能电池。这种太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多的光子，而是让其释放更多的光子，未来用砷化镓制造的太阳能电池有望突破能效转化记录的限。就目前而言效率高的商用太阳能电池由单晶硅圆制造，高的转化率为23%。砷化镓虽然比硅贵，但它其吸收的光子效率更加的效率，按性价比来说，砷化镓是制造太阳能的理想材料。

砷化镓虽然是太阳能电池的理想材料，但是对于其抛光需要化学机械平面抛光，搭配理想的砷化镓抛光液和砷化镓抛光垫，一般砷化镓抛光液被广泛用于2-6寸的砷化镓晶片，使用时可以加10-20倍的纯水进行稀释，抛光温度要控制在35℃-45℃，抛光机的下压力控制在100-300g/cm²，砷化镓抛光液建议循环使用6-8小时。砷化镓抛光液、砷化镓抛光垫所抛的砷化镓无划伤，具有很高的移除速率，被广泛使用。

砷化镓是典型的直接跃迁型能带结构,导带小值与价带大值均处于布里渊区中心,即K=0处,这使其具有较高的电光转换效率,是制备光电器件的优良材料。在300K时,砷化镓材料禁带宽度为1.42eV,远大于锗的0.67eV和硅的1.12eV,因此,砷化镓器件可以工作在较高的温度下和承受较大的功率。砷化镓(GAas)材料与传统的硅半导体材料相比,它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙,消耗功率低的特性,电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此，广泛用于高频及无线通讯中制作IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于无线通信、光纤通信、移动通信、GPS社会导航等领域，除在IC产品应用以外，砷化镓材料也可以加入其它元素改变其能带结构使其产生光电效应，制成半导体发光器件，还可以制作砷化镓太阳能电池。

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