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用于3D封装TSV化学机械抛光液

产品分类: 抛光液
    用于3D封装TSV化学机械抛光液
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    SiC碳化硅衬底研磨抛光产品
    SiC碳化硅衬底研磨抛光产品
    吉致电子·碳化硅研磨抛光·半导体晶圆抛光
    产品名称:碳化硅研磨液/碳化硅抛光液/碳化硅SIC研磨垫/Sic精抛垫
    产品特点:Politex抛光垫FUJIBO抛光垫国产替代

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      三合一_压缩图.jpg

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      1.分散性好。

      2.粒径分布广泛:10-150nm。

      3.高纯度,有效减小对电子类产品的沾污。

      4.适合与各种抛光垫、合成材料配合抛光使用。

      5.PH、粒径、稳定离子等可以根据客户定制(10-150 nm)。

      6.经特殊工艺合成的化学机械抛光液,纳米颗粒呈球形,单分散,大小均匀,粒径分布窄,可获得高质量的抛光精度。

       

       

      抛光过程中具有:

      1.高抛光速率,利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的。(可以生产150 nm)。

      2.高平坦度加工,本品抛光是利用SiO2的胶体粒子,不会对加工件造成物理损伤,达到高平坦化加工。

       

      抛光过程后具有:

      1.精度可以达到纳米级。

      2.划伤和挖伤可以达到0/0。

       

      Slurry适用于集成电路当中的铜互连工艺制程中铜的去除和平坦化。具有高的铜去除速率,碟型凹陷可调,低缺陷等特性。可应用于逻辑芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量产使用。清除集成电路中铜抛光后表面的抛光颗粒和化学物残留,以防铜表面腐蚀,降低表面缺陷。

      以及用于单晶硅、多晶硅的研磨抛光,存储器制程和背照式传感器(BSI)制程等。可定制选择稳定的选择比,去除速率,对氧化物/氮化物的选择比。硅精抛液系列具有低缺陷的优点。BSI抛光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和选择比。涵盖TSV铜/阻挡层Slurry,TSV晶背铜/介质层抛Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/铜Slurry等。具有高去除速率、选择比可调等优点。

      以及集成电路制造工艺中浅槽隔离的抛光等等。

       

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      使用方法:

      1.使用前清理瓶口,以防污染发生。

      2.使用时,根据不同行业的需要可用去离子水加以稀释,调制不同浓度。

      3.现场需保持清洁无扬尘,防止受到抛光液配制和使用过程遭到污染。

      4.循环使用粘度增大时,应予以重新配制新的抛光液,以免损伤工件,降低良率。

       

      储存方法:

      1.保持室内阴凉。

      2.避免敞口长期与空气接触。

      3.贮存时应避免曝晒,贮存温度为5-35℃

      4.低于0℃以上储存,防止结冰,在零度以下因产生不可再分散结块而失效。

      价格实惠:

      引进国外生产技术,其品质可以媲美进口的产品,有效的避免了进口产品其交货周期长,价格昂贵。

       

      安全处置:

      1.车间内必须保持良好的通风状况。

      2.如与眼睛或皮肤接触,请用大量清水冲洗。

      3.在使用时请勿进食或吸烟。

      4.使用前可参阅安全技术说明书。

       

      包裝方式:25KG/桶(也可依客户需求)

      产品制造:品性依据ISO9001规范

      保存期限:保质期为二年,建议在一年内使用。

      保存条件:温度范围=5°C~35°C ,湿度范围<=70%

      危险特征:产品本身没有刺激性,对人体无害。

      废弃物处理:切勿将废弃抛光剂排放入下水道、水体或土壤,废置抛光液应符合当地环保标准来处理。

      吉致电子研发团队--15年经验CMP抛光液配方工程师,为您攻克抛光难题!

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