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吉致电子抛光材料 源头厂家
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[吉致动态]碳化硅衬底需要CMP吗[ 2024-01-30 17:17 ]
  碳化硅衬底需要CMP吗?需要碳化硅SIC晶圆生产的最终过程为化学机械研磨平面步骤---简称“CMP”。CMP工艺旨在制备用于外延生长的衬底表面,同时使晶圆表面平坦化达到理想的粗糙度。  化学机械抛光步骤一般使用化学研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸渍毡型研磨片来实现的。碳化硅晶圆置于研磨片上,通过夹具或真空吸附垫将单面固定。被磨抛的晶圆载体暴露于研磨浆的化学反应及物理摩擦中,仅从晶圆表面去除几微米。  吉致电子研发用于SIC衬底研磨抛光的CMP研磨液/抛光液,以及研
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[常见问题]CMP化学机械抛光在半导体领域的重要作用[ 2023-12-21 11:53 ]
  化学机械抛光(CMP)是半导体晶圆制造的关键步骤,这项工艺能有效减少和降低晶圆表面的不平整,达到半导体加工所需的高精度平面要求。抛光液(slurry)、抛光垫(pad)是CMP技术的关键耗材,分别占CMP耗材49%和33%的价值量,CMP耗材品质直接影响抛光效果,对提高晶圆制造质量至关重要。  CMP抛光液/垫技术壁垒较高,高品质的抛光液需要综合控制磨料硬度、粒径、形状、各成分质量浓度等要素。抛光垫则更加看重低缺陷率和长使用寿命。配置多功能,高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。&nbs
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[应用案例]吉致电子--CMP不锈钢表面快速抛光[ 2023-12-18 17:58 ]
不锈钢获取高质量的镜面的传统工艺主要采用的抛光技术:电解抛光、化学抛光和机械抛光。随着对镜面不锈钢表面质量要求的不断提高,同时为了提高抛光效率,新型不锈钢抛光工艺----CMP化学机械抛光 被广泛应用。吉致电子针对不锈钢表面镜面处理,配制组成的CMP抛光液,通过化学溶液提高不锈钢表面活性,同时进行高速的机械抛光,用来消除表面凹凸而获得更高质量的光洁镜面。CMP化学机械抛光对环境污染最小,不锈钢镜面抛光质量最好,快速有效降低原始工件表面粗糙度,经过粗抛和精抛工艺能达到镜面效果,无划伤、无凹坑、无麻点橘皮。根据金属的种
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[行业资讯]CMP在半导体晶圆制程中的作用[ 2023-06-21 14:10 ]
  化学机械抛光(CMP)是实现晶圆全局平坦化的关键工艺,通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用,利用CMP抛光液、抛光机和抛光垫等CMP抛光研磨耗材实现晶圆表面多余材料的去除与纳米级全局平坦化。简单来讲,半导体晶圆制程可分为前道和后道 2 个环节。前道指晶圆的加工制造,后道工艺是芯片的封装测试。  前道加工领域CMP主要负责对晶圆表面实现平坦化。后道封装领域CMP 工艺用于先进封装环节的抛光。  晶圆制造前道加工环节主要包括 7 个相互独立的工艺流程:光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注
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[应用案例]碳化硅SiC抛光工艺[ 2023-04-19 17:08 ]
  根据半导体行业工艺不同,CMP抛光液可分为介质层化学机械抛光液、阻挡层化学机械抛光液、铜化学机械抛光液、硅化学机械抛光液、钨化学机械抛光液、TSV化学机械抛光液、浅槽隔离化学机械抛光液等。  SIC CMP抛光液是半导体晶圆制造过程中所需主要材料之一,在碳化硅材料工件打磨过程中起着关键作用,抛光液的种类、颗粒分散度、粒径大小、物理化学性质及稳定性等均与抛光效果紧密相关。  近年来,在人工智能、5G、数据中心等技术不断发展背景下,碳化硅衬底应用领域不断扩大、市场规模不断扩大,进而带动
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[应用案例]硬质合金抛光液--镜面抛光钨钢刀片[ 2023-04-14 15:01 ]
   硬质合金刀片具有硬度高、韧性较好、耐热、耐腐蚀等一系列优良性能,特别是它的高硬度和耐磨性,在1000℃时仍保持较高的硬度。硬质合金钨钢工件对于很多抛光工艺来说属于比较难加工的一种材质。钨钢刀片抛光目前可通过CMP化学机械抛光工艺,搭配金属专用抛光液达到理想的表面光洁度。  硬质合金刀片又叫钨钢刀片,原始件表面有锈斑、划痕和麻点等不良现象,要解决这些问题需通过平面研磨机配合吉致电子硬质合金研磨液、研磨垫、研磨盘等达到镜面效果。  硬质合金的CMP机械化学镜面抛光,经过粗抛
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[吉致动态]吉致电子常见的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]
  CMP 化学机械抛光液slurry的主要成分包括:磨料、添加剂和分散液。添加剂的种类根据产品适用场景也有所不同,分金属抛光液和非金属抛光液。金属CMP抛光液含:金属络合剂、腐蚀抑制剂等。非金属CMP抛光液含:各种调节去除速率和选择比的添加剂。  根据抛光对象不同,抛光液可分为铜抛光液、钨抛光液、硅抛光液和钴抛光液等类别。其中,铜抛光液和钨抛光液主要用于逻辑芯片和存储芯片制造过程,在10nm 及以下技术节点中,钴将部分代替铜作为导线;硅抛光液主要用于硅晶圆初步加工过程中。吉致电子常见的CMP研
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[行业资讯]铜化学机械抛光液---什么是TSV技术?[ 2023-02-24 15:34 ]
铜机械化学抛光液---什么是TSV技术?TSV全称为:Through -Silicon-Via,中文译为:硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通;TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互连,实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合(Wire Bonding)、TAB和倒装芯片(FC)之后的第四代封装技术。TSV的显著优势:TSV可以通过垂直互连减小互联长度,减小信号延迟,降低电容/电感,实现芯片间的低功耗,高速通讯,增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子
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[常见问题]吉致电子抛光液--CMP抛光工艺在半导体行业的应用[ 2023-02-09 13:14 ]
  CMP化学机械抛光应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化抛光,吉致电子抛光液在半导体行业的应用,主要为STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供抛光浆料与耗材。  CMP一般包括三道抛光工序,包括CMP抛光液、抛光垫、抛光蜡、陶瓷片等。抛光研磨工序根据工件参数要求,需要调整不同的抛光压力、抛光液组分、pH值、抛光垫材质、结构及硬度等。CMP抛光液和CMP抛光垫是CMP工艺的核心要素,直接影响工件表面的抛光质量。  在半导体行业CMP环节之中,也存在
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[应用案例]铝合金抛光液--铝质工件镜面抛光[ 2022-12-29 10:44 ]
  铝合金地较软,硬度低,因此在加工成型过程中极易产生机械损伤造成划痕、磨损等表面缺陷,同时易发生腐蚀,表面的化学稳定性差。为了消除加工过程中的缺陷,通常采用CMP化学机械抛光方法,以期获得良好的表面光洁度。  随着高新技术的发展,吉致电子铝合金抛光液已经有成熟的技术支持,可以实现对CMP抛磨材料极高精度、近乎无缺陷的超精密平面化加工。CMP可以真正使铝合金衬底实现全局平面化,得到近似完美的表面和极低的表面粗超度,且大大提高了生产率,降低了生产成本。铝合金工件加工的表面均匀一致性好、近乎无表面损
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[行业资讯]SIT Slurry平坦化流程与方法[ 2022-12-15 15:44 ]
浅槽隔离(shallow trench isolation),简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺,通常用于亚0.25um工艺以下,利用掩模完成选择性氧化,主要绝缘材料是淀积SiO?,浅槽隔离主要分为三个部分:槽刻蚀,氧化硅填充,CMP抛光液平坦化。一,槽刻蚀1,隔离氧化硅生成:氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染2,氮化硅(Si?N?)淀积:氮化硅是坚硬的掩模材料,有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区;在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料3,浅槽刻蚀:用氟基和氯基气体
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[常见问题]SIC碳化硅的化学机械抛光工艺[ 2022-12-14 16:20 ]
  碳化硅Sic单晶生长之后是晶碇,而且具有表面缺陷,是没法直接用于外延的,这就需要加工。其中,滚圆把晶碇做成标准的圆柱体,线切割会把晶碇切割成晶片,各种表征保证加工的方向,而抛光则是提高晶片的质量。  SiC表面的损伤层可以通过四种方法去除:机械抛光:简单但会残留划痕,适用于初抛;化学机械抛光:(Chemical Mechanical Polishing,CMP),引入化学腐蚀去除划痕,适用于精抛;氢气刻蚀:设备复杂,常用于HTCVD过程;等离子辅助抛光:设备复杂,不常用。选择CMP
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[行业资讯]吉致电子蓝宝石研磨液CMP减薄工艺[ 2022-11-30 17:01 ]
  蓝宝石研磨液/抛光液,是通过化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanical Polishing ) 用于蓝宝石衬底、窗口片的研磨和减薄,达到减薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致电子蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性,在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。  吉致电子蓝宝石研磨液、CMP抛光液可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研
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[应用案例]玉石抛光液---玉石表盘的CMP抛光工艺[ 2022-11-15 14:12 ]
  一款玉石制成的腕表,优雅大气,彰显如玉的君子气质。和田玉表盘的去粗及抛磨抛亮,是可以通过CMP化学机械抛光工艺来实现。  玉石表面亮度还受两个因素的影响:一是玉料的材质,二是玉料的结构,虽然大多数玉料都是晶体结构,但晶体的粒度和分布状况不同,呈纤维状的玉料易于抛光,呈粒状纤维的玉料不容易抛光。  通过吉致电子玉石抛光液与抛光垫的组合抛磨,去除毛坯料表面凹凸不平划痕,还原玉石本真的光泽,抛光后表盘工件看起来绵密细腻、油脂感足。通过CMP抛光玉石的优点是可以快速减薄尺寸,抛光效率快、亮
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[应用案例]吉致电子金属抛光液---Apple Logo镜面抛光液[ 2022-11-11 17:21 ]
Apple Logo非常有质感,其闪闪发光的镜面效果展现出苹果品牌的魅力与审美。一个完美苹果LOGO的诞生需要经过化学机械抛光工艺的抛磨,CMP工艺抛出的光洁度更高,效率更稳定,保证良品率的同时也为品牌塑造更好的形象。Apple Logo采用的是6063铝合金材质/不锈钢材质,进行CNC切割成LOGO形状,然后通过平面抛光机进行抛光,采用复合型粗抛垫和CMP抛光液进行粗抛平整化,最后通过采用阻尼布精抛垫加精抛液抛磨,达到完美的镜面效果。吉致电子为苹果LOGO定制的金属抛光液,工艺为粗磨,中磨,精抛。抛光速率快,光洁
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[行业资讯]碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程[ 2022-10-26 14:32 ]
碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫,抛磨工艺一般分为3道流程:双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨:一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工;主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺:针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率(与精磨基本相当)又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺:SIC晶圆精
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[行业资讯]蓝宝石抛光液的成分[ 2022-09-21 15:41 ]
  蓝宝石抛光液中的主要成分有磨料、表面活性剂、螯合剂、PH调节剂等,抛光液是影响CMP(化学机械抛光)效果最重要的因素之一。评价抛光液性能好坏的指标是流动性好,分散均匀,在规定时间内不能产生团聚、沉淀、分层等问题,磨料悬浮性能好,抛光速率快,易清洗且绿色环保等。  其中,磨料主要影响化学机械抛光中的机械作用。磨料的选用主要从磨料的种类、浓度以及粒径三个方面来考虑。目前CMP抛光液中常用的磨料主要有金刚石、氧化铝、氧化硅等单一磨料,也有氧化硅/氧化铝混合磨料以及核壳型的复合磨料等。行业内主流抛光
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[常见问题]什么是混合磨料抛光液?[ 2022-09-08 16:12 ]
混合磨料抛光液  抛磨工件材质的升级和发展,对镜面要求越来越高,单一的磨料已无法满足CMP行业需求,研究人员开始尝试将不同粒径、不同形貌的一种或多种粒子组合到一起使用,开发出混合型抛光液。比如,在大粒径二氧化硅中加入小粒径的氧化硅,这样能明显提高抛光速率,且粒径相差越大提升率越高,这是因为在磨料在总的质量分数不变的条件下,增大小粒径磨料的占比能增加硅溶胶颗粒的总体数量,从而起到了提高抛光速率的作用。  大量的研究成果表明,混合粒子的使用能够不同程度的提高化学机械抛光的速率,但是对抛光后表面粗糙度
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[吉致动态]吉致电子CMP抛光液适用设备有哪些?[ 2022-08-23 16:48 ]
  吉致电子研发的抛光液产品广泛应用于金属、光电、集成电路半导体、陶瓷、硬盘、面板显示器等材质表面的深度处理。吉致电子CMP抛光耗材产品可广泛应用于各种CMP领域,包括Lapping机台、五轴机台、单面抛光机、双面抛光机等其他研磨抛光机台设备。  抛光液升级配方可用于半导体行业硅片硅衬底减薄、碳化硅衬底抛光、蓝宝石衬底抛光。针对性更强的抛光液产品如阻挡层化学机械抛光液,钨化学机械抛光液以及介质层化学机械抛光液、浅槽隔离化学机械抛光液、用于3D封装TSV化学机械抛光液可详细咨询。抛光液的特点是不伤
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[行业资讯]温度对CMP抛光的影响有哪些[ 2022-07-15 15:13 ]
  化学机械抛光(CMP)中,抛光垫大面积接触工件,提高了一致性和抛磨效率,然而在抛光过程中,抛光垫也会不断地磨损和消耗,各种因素都会影响抛光垫的性能和使用寿命,其中直接的因素就是温度。  在化学机械抛光过程中,抛光垫的温度通常会在两种情况下升高。一个是固体和固体之间的物理摩擦接触。摩擦力引起的温度上升可能导致抛光垫的局部温度上升到30℃。当抛光在液压释放模式下进行时,热量释放将被释放。另一种是抛光液和抛光垫之间的化学反应释放的热量引起的温度升高。当抛光垫的温度超过一定限度时,抛光垫的聚氨酯材料
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