吉致电子抛光材料 源头厂家
25年 专注CMP抛光材料研发与生产

TSV抛光液---半导体3D封装技术Slurry

  TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。  TSV工艺的优势：可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子JEEZ用于3D封装

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蓝宝石窗口平面加工--蓝宝石研磨液

 蓝宝石平面视窗、精密质量蓝宝石视窗、高精度质量蓝宝石视窗是为各种光学、机械和电子应用提供了强度、耐磨性、化学惰性适用于光学和激光应用，这些蓝宝石窗口设计用于关键的光学和激光应用。蓝宝石窗口的制程中关键步骤需要用到CMP研磨抛光工艺，蓝宝石研磨液适合用于大批量蓝宝石窗口的生产应用。  蓝宝石抛光液以高纯度氧化硅原料制备而成，具有悬浮性好，不易结晶，易清洗等特点。用于蓝宝石工件的镜面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，无划伤，表面质量度高。吉致电子生产研发的蓝宝石窗口CMP抛光研磨液，性能稳

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什么是OX研磨液?吉致电子氧化层抛光液性能有哪些？

  Oxide slurry 简称OX氧化物研磨液广泛用于氧化层材料的CMP抛光，抛光研磨后达到精准的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圆表面的氧化硅层或者上层金属与氧化硅之间的氧化硅层等。  吉致电子OX氧化层抛光液适用于4-12英寸氧化硅镀膜片的氧化层抛光液。JEEZ半导体抛光液性能优点：①使用纯度高的纳米抛光磨料，拥有高速率加工能力;②slurry粒径大小均匀因此能获得无缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗无残留，对后续工艺影响小。 

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半导体行业CMP化学机械平坦化工艺Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化学机械平坦化工艺，应用于各种集成电路及半导体行业等减薄与平坦化加工。  CMP工艺融合了化学研磨和物理研磨的过程，而单一的化学或物理研磨在表面精度、粗糙度、均匀性、材料去除率及表面损失程度上都不能同时满足要求。CMP工艺兼具了二者的优点，通过抛光液/研磨液（slurry）与抛光垫（Pad）化学机械作用，在保证材料去除效率的同时，得到准确的表面材料层的厚度，获得较好的晶圆表面平坦度和均匀性，实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度，同

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CMP金刚石悬浮液/研磨液的特点及应用

吉致电子金刚石研磨液产品特点：（1）磨料类型多样化，包含单晶、多晶、类多晶及纳米级金刚石等；（2）金刚石悬浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金刚石研磨液粘度可调整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致电子金刚石悬浮液/研磨液应用领域：1、抛光液CMP半导体晶片加工：蓝宝石、碳化硅、氮化镓等半导体晶片;2、抛光液陶瓷加工：氧化锆指纹识别片、氧化锆陶瓷手机后壳及其它功能陶瓷;3、抛光液用于金属材料加工：不锈钢、模具钢、铝合金及其它金属材料。吉致电子CMP研发生产厂家，产品质量和效果媲美进口slurry，CMP抛光液粒度规

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研磨液厂家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化学机械平面工艺中的研磨材料和化学添加剂的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性剂、氧化剂、PH缓冲胶和防腐剂等成分组成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二铝（Al2O3）、 氧化铈（CeO2）,金刚石（单晶、多晶）等。  通俗来讲，芯片制造就像盖高楼，一层一层往上叠加，要想楼不塌，在制造下一层前必须确保本层的平坦度，这就是CMP平坦化的诉求。Wafer晶圆在制造过程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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铜化学机械抛光液---什么是TSV技术？

铜机械化学抛光液---什么是TSV技术？TSV全称为：Through -Silicon-Via，中文译为：硅通孔技术。它是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连，实现芯片之间互连的最新技术。TSV也是继线键合（Wire Bonding）、TAB和倒装芯片（FC）之后的第四代封装技术。TSV的显著优势：TSV可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。吉致电子

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抛光液厂家--CMP抛光液用于几代半导体材料？

  CMP抛光液用于几代半导体材料？  CMP抛光液越来越多的应用于第三代半导体材料的抛光，科研方向朝着攻克抛光液技术门槛和市场壁垒发展。CMP工艺的集成电路比例在不断增加，对CMP材料种类和用量的需求也在增加。更先进的逻辑芯片工艺可能会要求抛光新的材料，为CMP抛光材料带来了更多的增长机会。  目前，第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。这代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力

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CMP抛光液厂家---苹果Logo专用抛光液

  果粉们时常被MacBook，Iphone上闪闪发光的Apple Logo所惊艳到，那么苹果手机和笔记本上的金属Logo是如何实现镜面工艺的呢？

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SIT Slurry平坦化流程与方法

浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO?，浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，CMP抛光液平坦化。一，槽刻蚀1,隔离氧化硅生成：氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染2,氮化硅(Si?N?)淀积：氮化硅是坚硬的掩模材料，有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区；在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料3,浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体

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吉致电子蓝宝石研磨液CMP减薄工艺

  蓝宝石研磨液/抛光液，是通过化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于蓝宝石衬底、窗口片的研磨和减薄，达到减薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致电子蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。  吉致电子蓝宝石研磨液、CMP抛光液可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研

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稀土抛光液--氧化铈抛光液的种类

  随着光学技术和集成电路技术的飞速发展，对光学元件的精密和超精密抛光以及集成电路的CMP抛光工艺的要求越来越高，甚至达到了极其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。铈系稀土抛光液因其切削能力强、抛光精度高、抛光质量好、使用寿命长，在光学精密抛光领域发挥了极其重要的作用。吉致电子氧化铈抛光液的种类和固含量可按抛光工件的用途来分：根据氧化铈的含量，氧化铈抛光液可分为低铈、中铈和高铈抛光液，其切削力和使用寿命也由低到高。1.含95%以上氧化铈的铈抛光液呈淡黄色，比重约7.3。主要适用于精密光学镜片的

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半导体抛光液--球型二氧化硅抛光液的用途

  球形硅微粉作为抛光液磨料，可大大提高产品的刚性、耐磨性、耐候性、抗冲击性、耐压性、抗拉性、阻燃性、良好的耐电弧绝缘性和耐紫外线辐射性。让我们来看看球型二氧化硅抛光液在电子芯片中的一些应用。  精密研磨粉高纯球形硅粉用于光学器件和光电行业的精密研磨，特别适用于半导体单晶多晶硅片、显像管玻壳玻屏、光学玻璃、液晶显示器(LCD、LED)玻璃基板、压电晶体、化合物半导体材料(砷化镓、磷化铟)、磁性材料等半导体行业的研磨抛光。  吉致电子用高纯球形硅粉制备成的超高纯硅溶胶抛光液slurry,

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纳米氧化硅抛光液的特点

  纳米二氧化硅抛光液由高纯纳米氧化硅SiO2等多种复合材料配置而成，通过电解法或离子交换法制备成纳米抛光液，硅抛光液磨料分散性好，具有高强度、高附着力、成膜性好、高渗透、高耐候性、高耐磨性等特点，是一种性能优良的CMP抛光材料。广泛应用于金属或半导体电子封装抛光工艺中。吉致电子硅抛光液，CMP抛光slurry应用范围：1、可用于微晶玻璃的表面抛光加工中。2、用于硅片的粗抛和精抛以及IC加工过程，适用于大规模集成电路多层化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圆的后道CMP清洗等半导体器件的加工过程、平面显示器、多

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半导体抛光液---半导体材料有哪些？

  半导体业内从材料端分为：第一代元素半导体材料，如硅（Si）和锗(Ge)；第二代化合物半导体材料：如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；第三代宽禁带材料：如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，因为禁带宽度大于2.2eV统称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。其中碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道&

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陶瓷覆铜板DPC/DBC研磨抛光液工艺

  陶瓷覆铜板的制作工艺主要是DPC工艺和DBC工艺，DPC产品具备线路精准度高与表面平整度高的特性,非常适用于覆晶/共晶工艺,配合高导热的陶瓷基体,显着提升了散热效率,是最适合高功率、小尺寸发展需求的陶瓷散热基板。陶瓷覆铜基板需要用到CMP抛光工艺，利用抛光液和抛光垫达到表面光洁度或镜面效果。  CMP抛光液对陶瓷覆铜基板的抛光研磨，可以做到粗抛、中抛、精抛效果。粗抛工艺，陶瓷覆铜板表面去除率高，快速抛磨。精抛工艺，基板表面无划痕，可达反光镜面效果。吉致电子针对陶瓷覆铜板制备的抛光研

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金属手机边框的镜面抛光方法是什么？

  手机金属外壳/手机边框材质一般为不锈钢、钛合金、铝合金等，如华为\Iphone手机金属边框要达到完美的镜面效果需要精抛步骤----手机镜面抛光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅抛光液外观为乳白色，呈悬浮液状态，在抛光过程中起到收光磨料的作用。  金属手机精抛液的主要技术要求是什么呢？①镜面抛光液PH值的选择：PH值高低很可能会影响到最终的抛光效果，高低差别会导致手机金属工件发黑氧化，以及麻点和起雾，所以如何控制PH值非常重要。②镜面抛光液磨粒大小的选择：氧化硅磨料颗粒大小，直接影响

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碳化硅衬底CMP抛磨工艺流程

碳化硅衬底CMP化学机械抛光工艺需要用到吉致电子CMP抛光液和抛光垫，抛磨工艺一般分为3道流程：双面抛磨、粗抛、精抛。下面来看看吉致电子小编碳化硅晶圆抛光工艺介绍和抛光产品推荐吧。碳化硅衬底双面研磨：一般使用双面铸铁盘配合吉致电子金刚石研磨液或者碳化硅晶圆研磨液进行加工；主要目的是去除线切损伤层以及改善晶片的平坦度。碳化硅衬底粗抛工艺：针对碳化硅衬底加工采用专门的碳化硅晶圆抛光液配合粗抛垫。既可以达到传统工艺中较高的的抛光速率（与精磨基本相当）又可以达到传统工艺中粗抛后的表面光洁度。碳化硅衬底精抛工艺：SIC晶圆精

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碳化硅衬底抛光液的特点

碳化硅半导体晶片的制作一般在切片后需要用CMP抛光液进行抛光，以移除表面的缺陷与损伤。碳化硅（Sic）晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。碳化硅衬底具有碳极性面和硅极性面，因为碳面与硅面的极性不同，所以化学活性也不同，故双面cmp抛光速率具有差异。吉致电子碳化硅衬底抛光液（Sic Slurry）为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的高精度抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆

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氧化铝抛光液在蓝宝石窗口中的应用

  α -氧化铝(Al2O3)是众多氧化铝晶相中的最稳定的晶体相，它由其他晶相的氧化铝在高温下转变而成，是天然氧化物晶体中硬度最高的物质，硬度仅次于金刚石，远远大于二氧化硅溶胶颗粒，它是一种常用的抛光用磨料，被广泛用于许多硬质材料的抛光上。应用于CMP抛光液制备中，常用于在蓝宝石窗口的镜面抛光工艺中。 α -氧化铝(Al2O3)其实与蓝宝石是同一种物质或材料，材料结构中的原子排列模式完全相同，区别在于多晶体与单晶体。因此，从硬度上讲α-氧化铝(Al2O3)纳米粉体与蓝宝石晶体的硬度相当，可以用于

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